发明专利的撰写
本期聊聊专利怎么写，先说专利和论文表面上的区别，论文一般是英文（也有中文的论文），专利是中文；论文一般是彩色，专利一般是黑白；论文需要有摘要，背景，机理分析，结果验证，总结和参考文献，专利需要有权利要求书，说明书（题目，技术领域，背景技术，发明内容，附图说明，具体实施方式），说明书附图，说明书摘要，摘要附图。内在的区别有：论文看重的是好，重在解决实际问题， 有实验结果，当然流片测试结果更好， 是可以生产出来，要有与现有技术效果的对比。专利重要的是新，效果可以不用追求 ，但要跟别人不一样，重在为解决问题提供一种全新的不一样的方法。
这里以IGBT专利为例，来讲解专利的撰写。就是比如，你想到了把LDMOS的N+换成P+，你也验证了方法的正确性（可以只是理论的验证，有仿真和测试验证当然更好）。
权利要求书部分是权利要求书，权利要求书这部分放在开头，但实际上是 写的，因为这是被保护的部分。权利要求书分为4~8点， 点写清楚你发明的器件所包括的内容。格式如下：1、一种用于提升导电能力的绝缘栅双极型晶体管，包括P型衬底（1），N型漂移区（2），在N型漂移区（2）上有P型体区（3）……连接作为发射极。
权利要求书第二点写要保护的重点区域，很明显，你的左边跟LDMOS一样，不是重点，栅极也是一样，重点就是右端的集电极，把N+换为P+了，所以你要把右端的P+写出来，写清楚P+是位于N-buffer内的，以及P+的尺寸浓度等。格式如下：
2、如权利1所述的一种用于提升导电能力的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，P型重掺杂区（10）位于N型缓冲区（9）内。
3、如权利1所述的一种用于提升导电能力的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，P型重掺杂区（10）的横向尺寸为2μm~2.5μm。
4、如权利1所述的一种用于提升导电能力的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，P型重掺杂区（10）的浓度为……（范围）。
5、其他要保护的点。
说明书---题目，技术领域，背景技术第二部分是说明书，说明书开头就是专利的题目，题目的要求是，一般不超过24个字，不要出现IGBT这样的缩写，要写全称。如这里可以写，一种用于提升导电能力的绝缘栅双极型晶体管。所以题目的格式就是一种用于解决……的器件。说明书的第二部分就是技术领域，格式是：本发明主要涉及功率半导体器件领域，具体用于提升导电能力的绝缘栅双极型晶体管。说明书的第三部分是背景技术，背景技术和论文就很像了，一般三段， 段写功率MOS应用的广泛性，第二段写为了提升MOS的电流能力，别人都采用了什么方案，分析一下优缺点，第三段写你打算采用什么方案，以及交代解决这个问题的迫切性，即写一种像你这样的器件急需被研究。范例如下： 段写随着功率器件的发展，LDMOS（括号内写名全称）因为…优点得到广泛应用，但是电流能力弱，不足以满足大功率领域的应用成为…….在…电路中，因为LDMOS电流能力不能满足…所以提升LDMOS电流能力对…至关重要。第二段，为了增强LDMOS的电流能力，在某论文中通过增加LDMOS有源区的面积，增大发射的载流子数目，从而增大电流能力，可是这种方案增加了器件的尺寸，增加生产成本；另一种方案……可是工艺复杂，工艺上难以实现。第三段，基于…分析，因此，一种节约生产成本，工艺简单的器件急需被研究。
说明书---发明内容，附图说明，具体实施方式说明书部分的题目，技术领域，背景技术讲完了，就是发明内容，开头先写本发明针对上述问题，提出了一种用于提升导电能力的绝缘栅双极型晶体管。然后写本发明的技术方案如下：把权利要求1复制过来，把括号的数字都去掉，格式如下：一种用于提升导电能力的绝缘栅双极型晶体管，包括P型衬底，N型漂移区，在N型漂移区上有P型体区……连接作为发射极。接下来写有益效果，格式：与现有技术相比，本发明结构具有如下优点：1、在保证相同的器件尺寸下，拥有更高的电流密度。在导通期间…当集电极的PN结开启…电导调制，电流能力显著增强。2、该结构的耐压能力与同尺寸LDMOS相同，没有牺牲，在反向耐压期间…..。3、工艺简单…。4、其他优点。
说明书的第五部分是附图说明，范例：
图1为LDMOS结构图。图2为本发明结构示意图。图3为本发明结构等效电路图。图4为本发明结构导通期间的空穴密度分布图。图5为本发明结构与LDMOS导通曲线的对比（仿真曲线inspect，数据导出至origin作图）。图6为…。图7，图8…。
说明书的第六部分（ 一部分）是具体实施方式。
把权利要求全部复制过来，把括号去掉，只保留数字，同时权利要求2、3、4…说法要稍微改一下，范例如下：
具体实施方式
下面结合附图，对本发明作详细说明：
一种用于提升导电能力的绝缘栅双极型晶体管，包括P型衬底1，N型漂移区2，在N型漂移区2上有P型体区3……连接作为发射极。
在本实施例中，
如集电极P型重掺杂区10位于N型缓冲区9内。
集电极P型重掺杂区10的横向尺寸为2μm~2.5μm。
集电极P型重掺杂区（10）的浓度为……（范围）。
接下来就是写清楚发明结构的工作原理：
正向导通：…如图3…如图4…所以本发明结构的电流能力显著增强。
反向耐压：如图7，…，所以本发明结构的耐压能力与LDMOS完全相同。
说明书附图，说明书摘要，摘要附图专利的 部分是权利要求书，第二部分是说明书，第三部分是说明书附图，图要放黑白形式的，所以图 不要是纯色填充（可以是纯白色填充然后黑色文本标注，也可以条纹填充，一切以黑白看得清为前提），visio复制过来是彩色的，要改为黑白的(灰度)，操作如下。
一张图，然后下面写个图1即可。
专利的第四部分是说明书摘要，复制权利权利要求1，去掉括号和数字，并将内容压缩至字以内。
专利的第五部分（ 一部分）是摘要附图，即把图2（发明结构）复制过来即可。
这样就完成了一篇专利的撰写。
结束语专利写完与律师事务所商量修改完成后，可以申请专利，一般学校就是由导师负责，公司就是公司负责。3~5个月可以在网上查询到公开发布的专利（这称为授理，显示为审中-实质审查or审中-公开发明），2~3年可以看到专利是否被授权（显示为有权-确定授权）。中国专利没必要去专利局