国星光电获得国家知识产权局颁发的9项发明

4月27日，国星光电公司于近日收到国家知识产权局颁发的9项发明专利证书。分别是一种散热基板、功率模块、功率器件及散热基板加工方法、一种封装器件及其制作方法、一种功率器件及其制作方法、一种LED显示单元组及显示面板、一种LED显示单元组及显示面板、一种LED显示单元组及显示面板、一种量子点发光器件机器制造方案。

近几年国星光电聚焦Mini＆MicroLED超高清显示领域，MiniLED方面，公司研发覆盖了Mini直线P0.4到P0.9全系列产品，其中MiniLEDP0.4系列产品为全球首发。

加速布局第三代半导体等前瞻领域赛道，狠抓核心技术攻坚，形成了多项自主知识产权。其中6项涉及Mini/MicroLED技术领域专利，3项涉及第三代半导体技术领域专利。6项专利中“一种量子点发光器件及其制造方法”是公司在高一致性像素化量子点色转换彩膜制备技术及效率的量子点LED器件两项重大技术突破后，Mini、MicroLED领域量子点技术攻关中取得的又一科研成果。6项专利的相关技术方案可以提高超高清显示产品的集成度、提升制程及封装良率等。

三项涉及半导体技术领域相关专利技术可提升产品散热效率，延长器件的使用寿命，更好地保障器件稳定性，同时兼具良好的绝缘性能及抗压能力，及灵活性强。目前在上游芯片领域布局有硅基氮化镓的外延芯片技术储备，中游封装领域已建成第三代半导体功率器件实验室及试产线。下游领域公司也在积极与相关企业洽谈。为公司打造具备高可靠性、高品质优势的“第三代半导体功率器件封测企业”奠定坚实技术基础。

上述专利是体现国星光电在相关领域及核心技术方面以及工艺改进、产品创新、市场及品牌影响力提升有积极影响。