华进半导体一发明专利喜获年ld

　　年6月10日，第十三届无锡市专利奖颁奖仪式在新吴区市场监管局二楼会议室召开，华进半导体凭借“一种采用CMP对以聚合物为介质层的大马士革工艺中铜沉积后的表面进行平坦化处理的方法”专利获评 奖。这是华进半导体继年获评“第二十一届中国专利奖银奖”、“第十一届江苏省专利项目奖 奖”之后荣获的又一专利奖项。

　　大马士革工艺被广泛应用于半导体设计制造中的铜线互连。常见的大马士革工艺流程一般为在硅基板表面生成介质层，然后刻蚀深孔，生成阻挡层,利用PVD的方法在深孔里沉积铜。而应用于TSV转接板中的大马士革工艺稍有不同，先用PVD生成铜种子层，再通过铜电镀工艺填满刻蚀孔。大马士革工艺 都需要应用CMP去除表面的铜露出介质层完成铜导线的制作。

　　目前常见的介质层都是通过CVD生成的氧化物层，其工艺技术相对成熟，表面均匀性好，内部空谷易于控制，但成本高。而以聚合物为介质层的多重大马士革工艺由于聚合物表面平整度较差，因此只能应用于大尺寸线宽的多重布线技术(RDL)，无法实现小线宽高密度集成的产品要求。

　　此次，华进半导体参评专利所提出的一种采用CMP对以聚合物为介质层的大马士革工艺中铜沉积后的表面进行平坦化处理的方法，发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种采用CMP对以聚合物为介质层的大马士革工艺中铜沉积后的表面进行平坦化处理的方法。